Метка: низкое энергопотребление

Сфокусированные ионы гелия создают сегнетоэлектрические области в нитриде алюминия для микросхем с низким энергопотреблением.

Скотт Гибсон, Окриджская национальная лаборатория отредактировано Лизой Лок, проверено Робертом Иганом Ученые из Окриджской национальной лаборатории Министерства энергетики США впервые продемонстрировали, что сегнетоэлектрические свойства можно напрямую записать в нитрид алюминия с помощью сфокусированного пучка ионов гелия в Центре изучения нанофазных материалов (Center for Nanophase Materials Sciences. CNMS) при Окриджской национальной лаборатории. Сегнетоэлектрическим устройствам не требуется постоянное питание для хранения […]

Туннельное магнитосопротивление в магнитных туннельных переходах на основе оксида рутения.

Джу Хён Хо, Ульсанский национальный институт науки и технологий под редакцией Сэди Харли , рецензент Эндрю Зинин Группа исследователей, сотрудничающая с UNIST, объявила об успешной разработке нового полупроводникового устройства, использующего новый класс материалов, известный как альтермагнетизм. Ожидается, что этот прорыв значительно ускорит разработку сверхбыстрых и энергоэффективных полупроводниковых микросхем для искусственного интеллекта. Под совместным руководством профессора Чон-У Ю с кафедры […]