Метка: MTJ являются важнейшими компонентами устройств магнитной памяти с произвольным доступом (MRAM)

Туннельное магнитосопротивление в магнитных туннельных переходах на основе оксида рутения.

Джу Хён Хо, Ульсанский национальный институт науки и технологий под редакцией Сэди Харли , рецензент Эндрю Зинин Группа исследователей, сотрудничающая с UNIST, объявила об успешной разработке нового полупроводникового устройства, использующего новый класс материалов, известный как альтермагнетизм. Ожидается, что этот прорыв значительно ускорит разработку сверхбыстрых и энергоэффективных полупроводниковых микросхем для искусственного интеллекта. Под совместным руководством профессора Чон-У Ю с кафедры […]