Метка: радиационная стойкость

Сфокусированные ионы гелия создают сегнетоэлектрические области в нитриде алюминия для микросхем с низким энергопотреблением.

Скотт Гибсон, Окриджская национальная лаборатория отредактировано Лизой Лок, проверено Робертом Иганом Ученые из Окриджской национальной лаборатории Министерства энергетики США впервые продемонстрировали, что сегнетоэлектрические свойства можно напрямую записать в нитрид алюминия с помощью сфокусированного пучка ионов гелия в Центре изучения нанофазных материалов (Center for Nanophase Materials Sciences. CNMS) при Окриджской национальной лаборатории. Сегнетоэлектрическим устройствам не требуется постоянное питание для хранения […]